晶体缺陷研究的历史回顾

作者: 钱临照

来源: 中国物理学会期刊网

发布日期: 2022-11-03

本文回顾了晶体缺陷研究的历史,强调了晶体内部缺陷对物理性能的重要性,介绍了早期研究者如Von Laue和Darwin的贡献,以及位错模型的建立和发展。

晶体缺陷研究的历史回顾

中科院物理所的钱临照于2022年11月3日发表在《物理》上的文章中,回顾了晶体缺陷研究的历史。

晶体缺陷的研究始于对晶体内部缺陷的重视。早期的研究表明,晶体内部几乎不可能没有缺陷,这些缺陷对晶体的物理性能有重要影响。半导体的掺杂就是一个例子,晶体的缺陷与其力学强度密切相关。

1912年,Von Laue首次设想晶体中的点阵像光栅一样对X射线进行衍射,这一理论启发了人们利用X射线研究晶体结构。接下来,C. G. Darwin观察到完整晶体的衍射强度异常,怀疑晶体中存在不完整性。Darwin提出真实晶体是由多个小晶块拼凑而成的,每个小晶块的衍射强度遵循F定律,但由于取向不同,整体衍射强度与F²成比例。

在嵌镶结构的研究中,W. H. Bragg等人进行了大量实验,发现同一种晶体的累积反射是一致的,证明了晶体中存在嵌镶结构。Darwin在1914年得出结论,晶体中的晶块必须足够小,才能产生反射强度大于大晶块的结果。

随着研究的深入,许多学者开始关注晶体的非完整性及其对物理性能的影响。20世纪20年代,Darwin和Bragg的研究引起了广泛关注,特别是在非完整性晶体的结构和属性方面的争论。

美国的F. Zwicky和A. Goetz提出非完整性是晶体的属性之一,Zwicky试图证明晶体中存在一种次级结构。Goetz则提出了一种称为“群”的结构,认为晶体在熔点以上仍然保持其晶体结构。

在20世纪30年代,晶体缺陷的研究逐渐成熟,E. Orowan、M. Polanyi和G. I. Taylor提出了著名的位错模型,奠定了现代位错理论的基础。位错模型认为缺陷是原子的失配范围,且这种失配范围在应力作用下会逐个传递,导致晶体的滑移。

20世纪50年代,位错理论得到了广泛的认可,尤其是在剑桥学派的推动下,研究者们开始利用电子显微镜观察位错的结构,进一步验证了位错的存在。

总之,晶体缺陷的研究经历了漫长而曲折的发展过程,从早期的理论探索到后来的实验验证,逐步形成了现代材料科学的重要基础。研究者们在这一领域的努力,不仅推动了物理学的发展,也为材料科学的进步奠定了基础。

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