要想造个芯片，首先你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry（外包的晶圆制造公司）。我们终于看到一个门电路啦！这是一个NAND Gate（与非门），大概是这样：A, B是输入，Y是输出。其中蓝色的是金属1层，绿色是金属2层，紫色是金属3层，粉色是金属4层。那晶体管（更正，题主的“晶体管”自199X年以后已经主要是MOSFET，即场效应管了）呢？仔细看图，看到里面那些白色的点吗？
那是衬底，还有一些绿色的边框？那些是Active Layer（也即掺杂层。）然后Foundry是怎么做的呢？大体上分为以下几步：首先搞到一块圆圆的硅晶圆，（就是一大块晶体硅，打磨的很光滑，一般是圆的）。1、湿洗（用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质）2、光刻（用紫外线透过蒙版照射硅晶圆，被照到的地方就会容易被洗掉，没被照到的地方就保持原样。于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案。
注意，此时还没有加入杂质，依然是一个硅晶圆。）3、离子注入（在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质，不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管。）4、刻蚀4.1、干蚀刻（之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的，而是为了离子注入而蚀刻的。现在就要用等离子体把他们洗掉，或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构，这一步进行蚀刻）。4.2、湿蚀刻（进一步洗掉，但是用的是试剂，所以叫湿蚀刻）。
以上步骤完成后，场效应管就已经被做出来啦~但是以上步骤一般都不止做一次，很可能需要反反复复的做，以达到要求。
5、等离子冲洗（用较弱的等离子束轰击整个芯片）6、热处理，其中又分为：6.1、快速热退火（就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上，然后慢慢地冷却下来，为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化）6.2、退火6.3、热氧化（制造出二氧化硅，也即场效应管的栅极（gate））7、化学气相淀积（CVD），进一步精细处理表面的各种物质8、物理气相淀积（PVD），类似，而且可以给敏感部件加coating9、分子束外延（MBE）如果需要长单晶的话就需要这个..10、电镀处理11、化学/机械表面处理然后芯片就差不多了，接下来还要：12、晶圆测试13、晶圆打磨就可以出厂封装了。