林兰英，1918.02.07-2003.03.04，中国科学院院士，1957-1960年在中科院应用物理所（中科院物理研究所前身）工作，曾任半导体材料和物理组组长。物理所半导体研究始于1951年，1956年成立半导体研究室。中国的第一支晶体管、第一根硅单晶、第一台分子束外延设备等多项首创成果都有物理所做出的重要贡献。
为适应“两弹一星”研制中对计算机的需求，又组建了中国最早的晶体管生产厂——物理所109厂。由此，中国的半导体事业逐步走上独立发展的道路。1960年9月中科院半导体所成立，林兰英及物理所半导体室大部分人员调入该所。
1918年2月7日，在福建莆田林润故居的最后一进院子里，被称为“九牧林家”、“妈祖后人”的名门望族——林氏，诞生了一个女婴。新生命的出世并没有给这个大家族带来欢笑，因为这是一个“婶娘仔鬼”（当地方言，意指女孩）。在旧中国，重男轻女之风横行，福建地区尤甚，当地甚至从宋朝开始就有溺死女婴的恶习。在这样的环境下出世的女婴，其祖父的失望可想而知。尽管如此，老人家还是履行了祖父的职责，为女婴起名为“兰英”。
林兰英读书认真刻苦，因为是女孩子的原因，求学路上也经历了很多磨难，但她都克服坚持了下来，最终凭借优异的成绩考入福建协和大学。大学毕业后，林兰英留校任教，由于表现优异，获得出国留学机会。留学期间，林兰英的导师非常赏识她，有感于人才难得，要推荐她去芝加哥大学读数学博士学位。但经过深思熟虑后，林兰英认为，当时贫穷落后的祖国，最为需要、最为适用的，还是物理。
因此林兰英决定：谢绝教授的好意，中断在数学王国里的遨游，于1949年秋，前往宾大研究院，致力于固体物理学的研究。
博士毕业后，林兰英冲破重重阻挠，毅然投身到祖国的怀抱。虽然她的积蓄全被美国当局扣押，回国后已经身无分文，但她还是毅然将自己冒险带回来的“药”——价值20多万元的500克锗单晶和100克硅单晶，无偿地赠给了中国科学院，成了我国半导体科学工作者求之不得的无价之宝。
党和国家对回国的林兰英博士高度重视，安排她去中科院应用物理所工作。在应用物理所，林兰英第一个目标就是：拉制出属于中国的第一根硅单晶！1958年，在她的努力下，拉制出了中国第一根硅单晶。1961年，她又把目光投向了硅外延材料的研制。
终身未婚的林兰英，生活的轨迹基本就是在家和单位之间，全身心投入到了我国的半导体事业当中。
先后负责研制出中国第一根单晶硅、第一台高压单晶炉、第一片单异质结 SOI 外延材料、第一根 GAP 半晶、第一片双异质结 SOI 外延材料。因此四次获中科院科技进步奖一等奖，两次获国家科技进步二、三等奖，1996年获何梁何利科技进步奖，1998年获霍英东成就奖。她的工作极大推进了我国半导体材料的研究高度，为微电子和光电子学的发展奠定了基础，为我国太空事业做出巨大贡献。