5d过渡金属氧化物SrIrO₃低维体系研究进展

来源: 中国科学院物理研究所

发布日期: 2024-04-14 17:30:17

本文介绍了5d过渡金属氧化物SrIrO3(SIO)在自旋-轨道耦合和电子关联能相互作用下的新奇量子效应,以及在3d-5d氧化物异质界面上的电子相互作用调控。文章还讨论了SIO在自旋电子学中的应用前景及其自旋-电荷转换的调控手段,并详细描述了中国科学院物理研究所团队在SIO材料研究中的最新进展和成果。

作为5d过渡金属氧化物的典型代表之一,钙钛矿结构的SrIrO3(SIO)中自旋-轨道耦合(SOC)及电子关联能(U)相当,二者的相互竞争使得SIO中存在丰富多彩的新奇量子效应,如金属-绝缘体转变、顺磁-反铁磁转变、以及Mott绝缘体-Slater绝缘体中间态。在3d-5d氧化物异质界面上,3d体系引入的强电子-电子关联(EEC)能够调控界面附近电子的相互作用从而诱导出新奇物性。

然而有关3d-5d界面处相互作用的物理机制,目前研究的还不够清楚,某些方面还存在一定的争议和分歧。此外,SIO具有较强的自旋霍尔效应和较大的自旋霍尔角,这使其在氧化物自旋电子学方面很有应用前景。将其与磁性材料制备成多层膜,可以产生对称性诱导的各向异性自旋轨道转矩、电流和晶向诱导的磁性开关等。

然而,目前基于SIO的自旋-电荷转换的调控手段都依赖于磁性材料,需要利用极化光子或磁场等来操纵电子的自旋状态。如何在非磁性SIO中产生、探测和调控自旋流对于设计自旋相关器件而言十分关键。丰富和完善SIO材料在自旋电子学中的基础研究,从而提高自旋-电荷转换效率,发展新的自旋流探测手段对推动氧化物自旋器件应用有着重要意义。

中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心怀柔研究部HM-SF06课题组的孟梦副研究员和博士后谷明辉,在课题组组长郭建东研究员的带领下,长期从事过渡金属氧化物低维体系的可控外延制备与新奇物性探索。他们成功在3d强电子关联氧化物CaMnO3(CMO)中引入5d强SOC氧化物SIO并制备成高质量的超晶格([In/Mn]m)样品,其中SIO与CMO的总厚度固定在24个(m×n=24)原胞层。

随着周期数m的增加,体系发生了金属-非金属转变,并且转变温度随周期数m的增加而升高。通过详细的低温磁电阻分析表明,体系的金属-非金属转变源于SOC和EEC之间的反相关性。准二维特性的EEC能够影响界面处SIO层的SOC强度,并向SIO内部延伸一定的深度。

本研究的相关内容以“Modulation of the Metal−Nonmetal Crossover in SrIrO3/CaMnO3 Superlattices”为题发表在ACS Applied Electronic Materials上。

最近,团队通过精确控制生长,成功在中心对称的SIO中引入应力梯度,打破其结构的空间反演对称性,从而在动量空间中诱导出非平庸的自旋织构。

生长在NdGaO3衬底上的SIO薄膜厚度高于24原胞层时,出现应力梯度行为。即随着厚度增加,应力出现连续释放。该机制出现的原因与晶格失配和热膨胀系数失配共同作用有关。进一步,利用二阶非线性磁电输运效应,在共格生长与应力梯度的SIO薄膜中成功探测了动量空间自旋织构。以2π为周期的二阶电阻本质上阐明了非线性的自旋-电荷相互转换。

当没有应力梯度时,由于SIO薄膜界面处对称性破缺能够产生二阶单向导电性;但当引入应力梯度之后,SIO表现出两套非线性磁电效应的叠加,其中一套来自界面对称性破缺,另一套则来自应力梯度引入的体对称性破缺,两者的费米面翘曲性质完全不同。我们的实验结果首次提出应力梯度可以作为一种有效的调控动量空间自旋织构的方法,并且提供了一种在中心对称体系中引入自旋劈裂的思路,有望在其他中心对称的强SOC材料中推广。

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