弯液面限域电化学直写机制研究取得进展

来源: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发布日期: 2018-05-07 07:30:00

研究团队在弯液面限域电化学直写机制方面取得了重要进展,发现了控制动态扫描和沉积过程的新机制,并通过理论分析和实验验证,获得了控制沉积结构尺寸和形貌的数学模型。该研究还揭示了动态电浸润过程与常规浸润性的相反趋势,以及在不同基底上沉积线宽和“咖啡环”效应的差异。通过横向MCED直写制备的铜微米线具有纳米晶结构和超高导电率,远优于传统制备方法,并被用于开发三维风速传感器演示器件。

高质量金属微纳米线阵列在微执行器、微传感器以及透明导电方面有着重要应用,而现有微纳加工技术如光刻、激光诱导沉积、蘸笔纳米直写技术等在金属微纳结构复杂性和物理性能等方面还存在很大的不足。研究团队在研究的过程中发现了控制动态扫描和沉积过程的新机制,完整的动态电沉积过程由弯液面表面及内部的传质过程和遵守法拉第电解定律的局域电沉积过程协同作用实现。

其中,弯液面表面和内部的传质过程还包括复杂的溶剂挥发诱导离子迁移和表面张力梯度作用下的反向Marangoni流,如图1所示。通过理论分析和实验验证,团队成员获得了控制沉积结构尺寸和形貌的数学模型。

与此同时,研究人员发现,在不同基底上动态电浸润过程与常规的浸润性呈相反趋势,如图2所示。由于动态电浸润作用,疏水性的金基底沉积线宽明显高于亲水性的玻璃基底。该浸润性也明显影响图1所示的“咖啡环”效应。特别是在较高打印速率下,由于咖啡环效应的发生,在导电基底上微米铜带出现明显的高度波动和滑移,而在非导电基底上则形成串珠状结构。

通过横向MCED直写制备的铜微米线具有纳米晶结构,具有超高导电率(15700S/cm),远优于通过传统方法如FIB-CVD或静电纺丝等制备的金属线。基于其优良性能,研究人员将制备的铜微米线用作连接线稳定驱动LED灯,开发了横竖向相结合的三维风速传感器演示器件,如图3所示。

相关工作已在国际期刊上发表(J. Phys. Chem. Lett. 2018, 9, 2380-2387;Nanoscale 2017, 9, 12524-12532)。上述研究工作得到国家自然基金委(No.11574331&11674335)、宁波市科技局(No.2016B10005&2015B11002)等的支持。

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