黄昆生于1919年9月2日，卒于2005年7月6日。世界著名物理学家、教育家、中国固体物理学先驱、中国半导体科学技术奠基人。1919年9月2日生于北京。1941年6月在燕京大学物理学系获学士学位，1944年8月在吴大猷教授指导下获北京大学硕士学位，1944年8月被录取为庚款公费物理学留英学生。1945年8月，来到英国布里斯托尔大学成为N．F．莫特(Mott)的研究生。
1947年3月获布里斯托大学博士学位。此后在英国爱丁堡大学物理系、利物浦大学理论物理系任研究员。1951年底回国任北京大学物理学系教授，曾担任过物理学系副主任。1977年10月任中国科学院半导体研究所所长，为中国半导体科学技术的复苏发挥重要作用。1955年当选为中科院院士（学部委员）、1980年当选为瑞典皇家科学院外籍院士、1985年当选为第三世界科学院院士。2001年获国家最高科学技术奖。
黄昆对祖国无限忠诚，为新中国的科技发展奉献了毕生的精力；对真理执着追求，为半导体事业的腾飞做出了卓越的贡献；对学生呕心沥血，为祖国半导体事业培养了大批栋梁之才。
黄昆在科学上的成就受到了国际学术界的高度评价，也得到祖国和人民的承认。1951年，黄昆怀着振兴中华、报效祖国的殷切心情，回到自己深爱的祖国，任教于北京大学物理系，后任中国科学院半导体研究所所长、名誉所长。
1955年，年仅36岁的黄昆就当选为中国科学院学部委员，是当时所有委员中最年轻的一名。改革开放以来，黄昆当选为瑞典皇家科学院外藉院士（1980年）、第三世界科学院院士（1985年）、国际纯粹物理和应用物理协会（IUPAP）半导体委员会委员（1985—1988年）。为表彰其在固体物理学领域的杰出成就和贡献，黄昆荣获2001年度国家最高科技奖。