微机电系统也称MEMS，是一种结合了机械和电子等技术的微小装置，尺寸不超过1mm。1959年，著名物理学家费曼(Richard Feynman)在加州理工学院的物理年会上发表了题为“There's Plenty of Room at the Bottom（底部还有很大空间）”的著名演讲，首次提出微机械的概念。
1987年，加州大学伯克利分校的科学家借鉴集成电路(IC)工艺，制作出了直径仅为100μm左右的硅微静电微电机，与人类头发丝的粗细相当，这被认为是MEMS时代到来的标志。此后，MEMS技术进入飞速发展的时代，各种MEMS产品层出不穷，应用在各种尖端技术领域。
MEMS技术广泛应用于国防航天、光电影像、生化医疗、微波通讯及汽车工业等各个领域。例如汽车上用的微型加速度计、投影仪中用的微镜、打印机中用的微型喷头，极大地方便了人们的生产生活。
MEMS的制造广泛的借鉴了集成电路中的光刻、刻蚀以及镀膜等工艺。光刻是整个微加工工艺中技术难度最大，也是最为关键的技术步骤。所谓光刻就是通过对光束进行控制，在一层薄薄的光刻胶表面“刻蚀”出我们需要的图案，光束照过的位置光刻胶的化学性质会发生变化，通过显影液的浸泡会使照射过的部分去除（正胶）或者保留（负胶），流程示意图如图所示。
电子束光刻以其分辨率高、性能稳定，成本相对较低的特点，因而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一，下图是麻省理工学院的科技人员利用电子束曝光技术加工出2.2nm的线宽。电子束光刻的主要原理是利用高速的电子打在光刻胶表面，使光刻胶的化学性质改变。在电子束光刻中电子的产生方式有两种，一种是热发射，另一种是场发射。
直写式电子束的曝光原理是将聚焦的电子束斑直接打在光刻胶的表面，加工中不需要成本高昂的掩模版和昂贵的投影光学系统，其加工方式也更为灵活，适合小批量器件的光刻，在实际中应用更为广泛。电子束光刻是微纳制造领域中非常重要的技术手段。那么，在电子束光刻的具体工艺流程是怎么样的呢？影响光刻效果的主要因素又是什么？下面我们将一一解答。
光刻胶在电子束光刻技术中的地位举足轻重，是电子束光刻工艺中的核心材料，也是我国的一大短板，目前主要依赖进口。根据不同的MEMS装置的工艺需求选择合理的光刻胶种类是十分必要的。目前常用的电子束光刻胶有PMMA，ZEP520A及HSQ等，其主要光刻工艺特性如下表所示。
电子束光刻是迄今为止分辨率最高的光刻技术，由于直写式的方法不需要昂贵且费时的掩模版，加工灵活，已经引起广泛的重视，随着产业界对MEMS技术要求的不断提高，电子束光刻已逐渐成为MEMS工艺的新支柱。