2019年9月2日是黄昆先生百年诞辰。黄先生离开我们已有14年了。黄昆1941年毕业于燕京大学物理系，1944年于国立西南联合大学物理系获硕士学位，1948年在英国布列斯托尔大学物理系获博士学位，之后任英国利物浦大学理论物理系ICI博士后研究员，并有一半时间访问爱丁堡大学玻恩教授，与他合著了《晶格动力学理论》。
1951年黄昆回国，先后担任北京大学物理系教授、固体物理教研室主任、北大复旦等五校联合举办的半导体专门化教研室主任、北大物理系副主任。黄昆1955年被遴选为中国科学院数理学部委员，1977年起任中国科学院半导体研究所所长、名誉所长，曾先后当选瑞典皇家科学院国外院士、第三世界科学院院士、IUPAP半导体分会委员、中国物理学会理事长。
黄昆科研有两个活跃期。一是在英国的6年(1946—1951)。
期间最重要的科学贡献包括：提出杂质和缺陷引起晶体中的X光漫散射的理论，后来经实验证实，被称为“黄散射”；理论上为电子气屏蔽的“Friedel振荡”打下基础；提出一对唯像方程描述长波长极限时极性晶体中光学声子位移、宏观电场与电极化强度三个物理量的关系，被命名为“黄方程”或“玻恩—黄方程”；提出晶体中的电磁波与晶格振动格波的横波会互相耦合，形成新的本征模式——声子极化激元，一种新的元激发；建立在晶格弛豫基础上的多声子光跃迁与无辐射跃迁理论——“黄—Rhys理论”(Rhys即黄昆夫人，中文名李爱扶)，成为固体杂质缺陷束缚电子态跃迁理论的基石；与玻恩共同撰写《晶格动力学理论》专著。
这些成就，使他成为国际固体物理学界和晶格动力学领域的一位领头科学家。
黄昆一生做了两件大事。其一，黄昆是公认的我国固体物理和半导体物理两个学科的开创人之一，特别是新中国半导体科学技术开创人之一。他参与制定了中国12年科学发展规划(1956—1967年)，为重点发展我国半导体事业提出了具体规划及实施的紧急措施，其中最重要的一项措施是要尽快培养半导体专门人才。
之后不久教育部决定，将北京大学、复旦大学、东北人民大学(1958年改名吉林大学)、南京大学和厦门大学的有关教师，四年级本科生和研究生从1956年暑假起集中到北京大学，开办我国第一个半导体专门化培训班。专门化培训班由黄昆任主任，复旦大学谢希德任副主任，集中在一起的教师近30人。两年内，半导体专门化培训班建设了一系列从理论到实验的半导体专业课程，培养的二百余名学生，成为我国半导体事业的“黄埔一期”。
黄昆做的第二件大事是，长期在第一线从事物理教学，为一代又一代物理学人才的培养打下了坚实的基础。基于教育是国家科学技术腾飞的基础，黄昆始终认为，在中国培养一支科技队伍的重要性远远超过个人在学术上的成就。在北京大学那些年，他的主要精力放在普通物理、固体物理、固体理论、半导体物理等课程的教学工作上。
1978年初，黄昆任半导体所所长不久，每星期抽半天系统地为大家讲授现代半导体理论，帮助全所科研人员在大学本科所学的半导体物理和研究一线所需的半导体物理之间搭起一座桥梁，一连讲了10个月。黄昆把教学当作科学研究，精心钻研教学内容和方法。他讲课概念清晰，深入浅出，是有口皆碑的教学名师。