2023年7月3日，中国商务部、海关总署发布公告，决定自今年8月1日起对镓、锗相关物项实施出口管制。其中与镓有关的管制物项包括：金属镓、氮化镓、氧化镓、磷化镓、砷化镓、铟镓砷、硒化镓和锑化镓等8种。
金属镓乃生产氮化镓、氧化镓等含镓化合物半导体不可或缺的原材料，而含镓化合物半导体在很多情况下又是生产尖端电子元器件的重要材料。其中，磷化镓很早就用于制作红光、黄光、黄绿光发光二极管。近年，磷化镓已成为制作发光二极管（LED）和数码管等光电显示器件的重要材料，而且还可用于制作光电倍增管、光电存储器、高温开关等器件。
以锗、硅为代表的第—代半导体材料在高频特性上的限制催生了以砷化镓为代表的第二代半导体材料。相较于第一代半导体材料，砷化镓具有高频、抗辐射、耐高温的特性，可用来制作亮度更高的红光、黄光发光二极管。后来，砷化镓又被拓展应用于民用无线通信、光通讯以及国防军工领域。
和前两代半导体材料相比，以氮化镓为代表的第三代半导体材料能够更好的满足现代电子技术对高频、高压、高温、高功率以及抗辐射等恶劣条件的新要求。今日，氮化镓在高质量氮化镓单晶体于1985年研制成功之后，赤崎勇与天野等人于1986年联名公开发表了相关研究成果。名古屋大学同年也为氮化铝缓冲层制作技术申请了专利。