高压制备具有最大结构畸变的d3电子材料及其位移型铁电极化

作者: 周博文

来源: Phys. Rev. Lett.

发布日期: 2023-04-04

中国科学院物理研究所团队成功制备了一种新型d3电子钙钛矿材料,该材料展示出极大的八面体畸变和宏观位移型铁电极化,具有潜在的应用前景。

ABO3钙钛矿由于丰富的A、B位离子组合方式以及BO6八面体灵活多变的畸变方式(包括不同程度的倾斜、旋转、伸缩等),展示了各种各样的晶体结构与物理性质,是半个多世纪以来凝聚态物理和材料科学的重要研究对象。对于外层电子为3d3的过渡金属离子,因其半满的t2g轨道分布(接近球对称),具有这种电子分布的钙钛矿材料(譬如R3+Cr3+O3,R3+代表稀土离子),其BO6八面体畸变往往很小。

特别是相比于具有强Jahn-Teller畸变的d4(如Mn3+)或d9(如Cu2+)电子体系,d3电子体系的结构畸变程度通常低2个量级或以上。能否制备出结构畸变程度接近Jahn-Teller离子的d3电子材料体系,是一个极具挑战的科学问题。同时,这种反常大结构畸变是否可诱导奇异物性也亟待进一步研究。

近日,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物质国家研究中心磁学国家重点实验室M08组龙有文研究员团队,利用高压高温实验条件成功制备了一种新型d3电子钙钛矿材料(Hg0.75Pb0.25)2+Mn4+O3,发现该材料Mn4+O6八面体畸变程度达到与典型一级Jahn-Teller效应化合物(如R3+Mn3+O3)同等量级,处于d3电子材料的最大值;且该反常大的结构畸变导致B位d3过渡金属离子沿c轴方向发生位移,从而打破通常的“d0规则”,在室温下即可形成宏观位移型铁电极化,并展示了铁电光伏效应,具有潜在的应用前景。

在前期研究中,龙有文团队利用高压高温手段首次制备出钙钛矿物材料Hg2+Mn4+O3,发现约10%的合成压力的变化即可改变材料的晶体结构,从而启发团队利用等价态化学掺杂的方法去调控材料的结构和物性。

考虑到Pb2+离子的6s2孤对电子效应可能诱导铁电极化,因此团队发挥高压高温合成优势,在15 GPa和1373 K的实验条件下制备出A位掺杂的d3电子钙钛矿材料Hg0.75Pb0.25MnO3(HPMO)。通过室温XRD、X光吸收谱、高分辨电镜、二次谐波、压电力显微术以及光伏效应等系列测试,对HPMO进行了详细研究。

测试结果表明,HPMO的电荷组态为(Hg0.75Pb0.25)2+Mn4+O3,其B位由单一的d3电子Mn4+占据。虽然HgMnO3和PbMnO3均具有中心对称的晶体结构,但A位掺杂的HPMO却令人意外地展示出非中心对称的极化结构,空间群为Ama2(no. 40)。在此极化结构中,A位(Hg/Pb)2+和B位Mn4+离子均出现偏离配位体电荷中心的位移,因而产生沿晶体c轴方向的宏观位移型铁电极化。

点电荷模型计算得到室温下HPMO总的铁电极化强度高达26.5 μC/cm2,跟BaTiO3、BiFeO3等典型铁电材料处于同一量级。对于HPMO中的单个MnO6八面体而言,其6个Mn-O键长在1.77-2.06 ?的较大范围内变化,因而产生了极大的八面体畸变,其畸变程度比其他d3电子体系(如R3+Cr3+O3)大2个量级,达到一级Jahn-Teller效应化合物R3+Mn3+O3的同等水平。

进一步,光谱测试表明HPMO是一种能隙为2.25 eV的直接带隙半导体,在可见光波长范围内具有光致发光效应。基于此,团队利用多晶样品构建了一个简单的三明治型Ag/HPMO/Ag器件,利用太阳光作为光源,发现了可重复的铁电光伏效应,为这种材料在室温下的应用提供了可能。

上述成果以“Octahedral Distortion and Displacement-Type Ferroelectricity with Switchable Photovoltaic Effect in a 3d3-Electron Perovskite System”为题,于2023年4月4日发表在Phys. Rev. Lett.(130,146101)。

文章的第一作者为中科院物理所已毕业博士生周博文(目前就职于中芯国际),物理所龙有文研究员为唯一通讯作者。本研究工作获得了物理所于晓辉研究员、丘祥冈研究员、禹日成研究员、金奎娟研究员、孟庆波研究员,北师大张金星教授,清华大学于浦教授,德国马普所Z. W. Hu博士等团队的密切合作。该工作获得了科技部、国家自然科学基金委、北京市自然科学基金委、中国科学院等项目的资助。

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