赤崎勇，1929年1月30日出生于鹿儿岛县，1952年毕业于京都大学理学部。1964年在名古屋大学获得博士学位，1981年起任名古屋大学教授，1992年起任日本名城大学教授。赤崎勇在氮化镓研究中，首次实现了氮化镓的PN结，为利用氮化镓材料制造蓝色发光二极管奠定了基础。2009年11月10日，赤崎勇获得2009年度京都奖尖端技术领域的奖项。
京都奖从1985年起每年颁发一次，面向尖端技术、基础科学、思想和艺术3大领域。过去年度的京都奖得主中有数人后来又获得了诺贝尔奖。赤崎勇获得2014年诺贝尔物理学奖。天野浩是日本工程学家，专长半导体器件制造，现任名城大学、名古屋大学教授。中村修二，蓝光LED发明人，1954年5月22日出生于日本爱媛县。1994年在日本德岛大学获得电气工程博士学位。1979年加入日亚化学公司。
1989年，中村教授开始研究基于三族氮材料的蓝光LED。由于在蓝光LED方面的杰出成就，中村教授获得了一系列荣誉，包括仁科纪念奖（1996），IEEE Jack A.莫顿奖，英国顶级科学奖（1998）；富兰克林奖章（2002），2003年中村教授入选美国国家工程院（NAE）院士，2006年获得千禧技术奖。2000年，中村教授加入加州大学圣芭芭拉分校。他获得100多项专利，并发表了200多篇论文。
中村修二，主要资料蓝光之父，中村修二(Shuji Nakamura)，1988年日亚化学资助中村进入美国佛罗里达州立大学研究金属有机物化学气相沉积(MOCVD)，1991年获得氮化镓成长的关键技术，1993年开发了蓝色发光二极管，被称为世纪发明、诺贝尔奖级别的发明，该项技术曾被认为20世纪不可能的任务，并商品化，1995年开始研发蓝色激光二极管。
1997年开发出紫外LED，1999年离开日亚公司，2000年以来供职于美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校，任教授。
同时以每周一天的频率指导cree，2001年获日本朝日奖，2002年获得美国本杰明·富兰克林金奖，2006年获芬兰千禧技术大奖，2006年5月24日，中村修二博士与加州大学巴巴拉分校(UCSB)研究小组制造出第一款无极性(non-polar)和半极性(semi-polar)GaN衬底LED。